تعمل شركات أمريكية ويابانية على تمويل مشروع يمكنهما من إنتاج ذاكرة عشوائية جديدة مبدئيا لاستخدامها في أجهزة الكترونية ذكية من الجيل القادم. وستتحول تلك الذاكرة بفضل انخفاض استهلاك الطاقة وصغر حجمها إلى عنصر مثالي للأجهزة اللوحية والهواتف الذاكية المستقبلية. ويضم الكونسورسيوم الذي يعمل على تصميم النوع الجديد من الذاكرة العشوائية شركات كبرى مثل "طوكيو ألكترون" و"شين أتسو شيمينال" و"رينيساز ألكترونيكس" و"هيتاشي" و"ميكرون تكنولوجي" وغيرها، وفقا لموقع فيستي رو الروسي. وتعد تلك الشركات بتصنيع ذاكرة "مرام" MRAM بديلة للذاكرة الديناميكية (DRAM) في وقت قريب. والذاكرة "مرام" MRAM تقوم بتخزين معلومات بواسطة عزم مغناطيسي وليس شحنات كهربائية. ويسمح مثل هذا المبدأ بزيادة حجم المعلومات المخزنة بعشرة أضعاف وتخفيض استهلاك الطاقة الكهربائية إلى حد كبير. وبحسب المعلومات المتوفرة لدى صحيفة "نيكاي" اليابانية فإن ألواح ذاكرة MRAM ستستهلك طاقة كهربائية تقل ب 3 أضعاف عما هو عليه لدى ألواح DRAM. وأكد معدو المشروع أن تسويق الذاكرة MRAM سيبدأ بحلول عام 2018. يذكر أن شركة "أفتر سبين تكنولوجي" تقوم حاليا بصنع ألواح MRAM، وفي حال نجاحها في تسويقها يمكن أن تتحول إلى شركة رائدة في هذا القطاع قبل أن يحقق الكونسورسيوم الأمريكي الياباني أهدافه.